BC848BW-7-F Альтернативные части: BC848CW-7-F ,BC847BW-7-F

BC848BW-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2650

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1.305495 ₽
1.37 ₽
500
0.959918 ₽
479.95 ₽
1000
0.799931 ₽
800.00 ₽
2000
0.733887 ₽
1,467.72 ₽
5000
0.685879 ₽
3,429.40 ₽
10000
0.638022 ₽
6,380.22 ₽
15000
0.617047 ₽
9,255.77 ₽
50000
0.606731 ₽
30,336.54 ₽

Цена за единицу: 1.305495 ₽

Итоговая цена: 1.37 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC848BW-7-F	иBC848CW-7-F	иBC847BW-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.010099mg	6.010099mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	45V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	200	-	200
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007	2007
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Число контактов	3	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	200mW	200mW	200mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	20nA ICBO	20nA ICBO	20nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	300MHz	300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	6V
Высота	1mm	1mm	1.1mm
Длина	2.2mm	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Завершение	-	-	SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	45V
Моментальный ток	-	-	100mA
Основной номер части	-	-	BC847
Максимальное напряжение разрушения	-	-	45V
Максимальная температура перехода (Тj)	-	-	150°C
Корпусировка на излучение	-	-	No
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323	Для сравнения
BC846BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323	Для сравнения
DTC144TUAT106	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Для сравнения
BC848CW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения