BC848BMTF Альтернативные части: 2SAR522EBTL

BC848BMTFON Semiconductor

  • BC848BMTFON Semiconductor
  • 2SAR522EBTLROHM Semiconductor

В наличии: 187644

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Transistor (BJT) - Discrete ON Semiconductor BC848BMTF SOT 23-3
TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
-
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
-
Вес
30mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
20V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
110
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2015
Код JESD-609
e3
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
30V
-
Максимальная потеря мощности
310mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
100mA
-
Частота
300MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
10
Основной номер части
BC848
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
310mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
350MHz
Полярность/Тип канала
NPN
PNP
Тип транзистора
NPN
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
120 @ 1mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
300mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
350MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
-20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-5V
Высота
930μm
-
Длина
2.92mm
-
Ширина
1.3mm
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
13 Weeks
Число контактов
-
3
Код JESD-30
-
R-PDSO-F3
Мощность - Макс
-
150mW
Прямоходящий ток коллектора
-
-200mA