BC848AMTF Альтернативные части: BC849CMTF ,BC848C-7-F

BC848AMTFON Semiconductor

В наличии: 12000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
10.957308 ₽
10.99 ₽
500
8.056896 ₽
4,028.43 ₽
1000
6.714038 ₽
6,714.01 ₽
2000
6.159670 ₽
12,319.37 ₽
5000
5.756703 ₽
28,783.52 ₽
10000
5.355082 ₽
53,550.82 ₽
15000
5.179025 ₽
77,685.44 ₽
50000
5.092376 ₽
254,618.82 ₽

Цена за единицу: 10.957308 ₽

Итоговая цена: 10.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC848AMTF	иBC849CMTF	иBC848C-7-F
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23
Срок поставки от производителя	48 Weeks	-	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	30mg	30mg	7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	110	110	420
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V	-
Максимальная потеря мощности	310mW	310mW	300mW
Моментальный ток	100mA	100mA	-
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Основной номер части	BC848	BC849	BC848C
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	310mW	310mW	310mW
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	110 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA ICBO	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	-	Tin
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Опубликовано	-	-	2008
Код JESD-609	-	-	e3
Безоловая кодировка	-	-	yes
Количество выводов	-	-	3
Код ECCN	-	-	EAR99
Дополнительная Характеристика	-	-	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	-	-	DUAL
Форма вывода	-	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	40
Число контактов	-	-	3
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Применение транзистора	-	-	SWITCHING
Полярность/Тип канала	-	-	NPN
Частота перехода	-	-	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	-	-	30V
Максимальная температура перехода (Тj)	-	-	150°C
Прямоходящий ток коллектора	-	-	100mA
Высота	-	-	1.1mm
Длина	-	-	3.05mm
Ширина	-	-	1.4mm
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC849CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
BC848C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23	Для сравнения
BC848B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC848A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения