BC848AMTF Альтернативные части: BC848B-7-F ,BC848A-7-F

BC848AMTFON Semiconductor

В наличии: 12000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
10.957308 ₽
10.99 ₽
500
8.056896 ₽
4,028.43 ₽
1000
6.714038 ₽
6,714.01 ₽
2000
6.159670 ₽
12,319.37 ₽
5000
5.756703 ₽
28,783.52 ₽
10000
5.355082 ₽
53,550.82 ₽
15000
5.179025 ₽
77,685.44 ₽
50000
5.092376 ₽
254,618.82 ₽

Цена за единицу: 10.957308 ₽

Итоговая цена: 10.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC848AMTF	иBC848B-7-F	иBC848A-7-F
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Срок поставки от производителя	48 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	30mg	7.994566mg	7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	110	200	110
Рабочая температура	150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Максимальная потеря мощности	310mW	300mW	300mW
Моментальный ток	100mA	-	-
Частота	300MHz	300MHz	300MHz
Основной номер части	BC848	-	BC848A
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	310mW	350mW	350mW
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz	300MHz
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	110 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V	110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Опубликовано	-	2008	2007
Код JESD-609	-	e3	e3
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	3	3
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	-	DUAL	DUAL
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40	40
Число контактов	-	3	3
Мощность - Макс	-	300mW	300mW
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Полярность/Тип канала	-	NPN	NPN
Частота перехода	-	300MHz	300MHz
Высота	-	1mm	1mm
Длина	-	3.05mm	3.05mm
Ширина	-	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No	-
Покрытие контактов	-	-	Tin
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Максимальное напряжение разрушения	-	-	30V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC849CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
BC848C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC848C-7-F - TRANSISTOR, NPN, 30V, 100mA, 300mW, SOT-23	Для сравнения
BC848B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
BC848A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения