BC847CW-7-F Альтернативные части: DTC144TUAT106

BC847CW-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 27285

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
9.143558 ₽
9.20 ₽
500
6.723255 ₽
3,361.68 ₽
1000
5.602706 ₽
5,602.75 ₽
2000
5.140069 ₽
10,280.08 ₽
5000
4.803777 ₽
24,018.96 ₽
10000
4.468640 ₽
44,686.40 ₽
15000
4.321745 ₽
64,826.10 ₽
50000
4.249505 ₽
212,475.27 ₽

Цена за единицу: 9.143558 ₽

Итоговая цена: 9.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847CW-7-F	иDTC144TUAT106
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	13 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3
Вес	6.010099mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	45V	50V
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2009
Код JESD-609	e3	e1
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	45V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	100mA	100mA
Частота	300MHz	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	10
Основной номер части	BC847	DTC144
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	200mW	200mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	-
Полярность/Тип канала	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	420 @ 2mA 5V	100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	20nA ICBO	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	300mV @ 500μA, 5mA
Частота перехода	300MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	5V
Высота	1mm	-
Длина	2.2mm	-
Ширина	1.35mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Минимальная частота работы в герцах	-	100
Завершение	-	SMD/SMT
Конечная обработка контакта	-	TIN SILVER COPPER
Максимальная рабочая температура	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-55°C
Дополнительная Характеристика	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75
Направленность	-	NPN
Частота - Переход	-	250MHz
База (R1)	-	47 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323	Для сравнения
DTC144TUAT106	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Для сравнения
BC847AW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
FJX3001RTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения