Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC847BPN,135 Альтернативные части: BC847BS-7-F
BC847BPN,135Nexperia USA Inc.
В наличии: 41344
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
18.229560 ₽
18.27 ₽
10
17.197665 ₽
171.98 ₽
100
16.224217 ₽
1,622.39 ₽
500
15.305920 ₽
7,653.02 ₽
1000
14.439533 ₽
14,439.56 ₽
Цена за единицу: 18.229560 ₽
Итоговая цена: 18.27 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP | TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363 |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 45V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Рабочая температура | 150°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Опубликовано | 2009 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 200mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Частота | 100MHz | 100MHz |
Основной номер части | BC847BPN | BC847BS |
Число контактов | 6 | 6 |
Направленность | NPN, PNP | NPN |
Напряжение | 45V | 45V |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Текущий | 1A | 1A |
Распад мощности | 400mW | 200mW |
Мощность - Макс | 300mW | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 100MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 45V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V | 200 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA ICBO | 20nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA | 400mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 60V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 6V |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Вес | - | 6.010099mg |
Минимальная частота работы в герцах | - | 200 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
Высота | - | 1.1mm |
Длина | - | 2.2mm |
Ширина | - | 1.35mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SBC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R | Для сравнения |
 | BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 | Для сравнения |
| BC847BS-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363 | Для сравнения |
 | RN4902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |