BC847BLP4-7B Альтернативные части: BC847BLP-7B

BC847BLP4-7BDiodes Incorporated

В наличии: 9400

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.401703 ₽
5.36 ₽
500
3.971841 ₽
1,985.99 ₽
1000
3.309918 ₽
3,309.89 ₽
2000
3.036566 ₽
6,073.08 ₽
5000
2.837953 ₽
14,189.84 ₽
10000
2.639931 ₽
26,399.31 ₽
15000
2.553104 ₽
38,296.57 ₽
50000
2.510398 ₽
125,519.92 ₽

Цена за единицу: 5.401703 ₽

Итоговая цена: 5.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847BLP4-7B	иBC847BLP-7B
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K	Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-XFDFN	3-UFDFN
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2000
Код JESD-609	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Максимальная потеря мощности	250mW	250mW
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	BC847	BC847
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Продуктивность полосы частот	100MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	100MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Покрытие контактов	-	Gold
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Форма вывода	-	NO LEAD
Квалификационный Статус	-	Not Qualified

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847CDLP-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-XFDFN Exposed Pad	BC847CDLP Series 45 V 100 mA Dual NPN Small Signal Transistor - X2-DFN1310-6	Для сравнения
BC847BLP-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UFDFN	Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K	Для сравнения
BC847BLP-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-UFDFN	TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN	Для сравнения