Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC847BLP-7B Альтернативные части: 2DC4617QLP-7B
BC847BLP-7BDiodes Incorporated
В наличии: 608
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.612788 ₽
5.63 ₽
500
4.127074 ₽
2,063.60 ₽
1000
3.439245 ₽
3,439.29 ₽
2000
3.155247 ₽
6,310.44 ₽
5000
2.948777 ₽
14,743.96 ₽
10000
2.743063 ₽
27,430.63 ₽
15000
2.652885 ₽
39,793.27 ₽
50000
2.608558 ₽
130,427.88 ₽
Цена за единицу: 5.612788 ₽
Итоговая цена: 5.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K | Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 19 Weeks |
Покрытие контактов | Gold | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 3-UFDFN | 3-UFDFN |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 50V |
Количество элементов | 1 | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2000 | 2015 |
Код JESD-609 | e4 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW |
Положение терминала | BOTTOM | - |
Форма вывода | NO LEAD | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 |
Основной номер части | BC847 | 2DC4617 |
Число контактов | 3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Сокетная связка | COLLECTOR | - |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 100MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 200mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 100MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Конечная обработка контакта | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC847CDLP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-XFDFN Exposed Pad | BC847CDLP Series 45 V 100 mA Dual NPN Small Signal Transistor - X2-DFN1310-6 | Для сравнения |
 | 2DC4617QLP-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-UFDFN | Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K | Для сравнения |
 | BC847BLP4-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | 3-XFDFN | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K | Для сравнения |