BC847BLP-7 Альтернативные части: BC847BLP4-7B ,BC847BLP4-7

BC847BLP-7Diodes Incorporated

В наличии: 1266

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.519011 ₽
4.53 ₽
500
3.322775 ₽
1,661.40 ₽
1000
2.768970 ₽
2,768.96 ₽
2000
2.540343 ₽
5,080.63 ₽
5000
2.374162 ₽
11,870.88 ₽
10000
2.208558 ₽
22,085.58 ₽
15000
2.135934 ₽
32,039.01 ₽
50000
2.100234 ₽
105,011.68 ₽

Цена за единицу: 4.519011 ₽

Итоговая цена: 4.53 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847BLP-7	иBC847BLP4-7B	иBC847BLP4-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN	Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin DFN T/R
Срок поставки от производителя	19 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Gold	-	Gold
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-UFDFN	3-XFDFN	3-XFDFN
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V	45V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2011	2011
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	45V	-	-
Максимальная потеря мощности	250mW	250mW	250mW
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	100mA	-	-
Частота	100MHz	-	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	BC847	BC847	BC847
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	250mW	-	250mW
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Продуктивность полосы частот	100MHz	100MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V	200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA ICBO	15nA ICBO	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	100MHz	100MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	6V
Высота	1.5mm	-	350μm
Длина	1mm	-	1mm
Ширина	600μm	-	600μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	-
Конечная обработка контакта	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA	-
Форма вывода	-	-	NO LEAD
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847CDLP-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-XFDFN Exposed Pad	BC847CDLP Series 45 V 100 mA Dual NPN Small Signal Transistor - X2-DFN1310-6	Для сравнения
BC847BLP4-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-XFDFN	Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K	Для сравнения
BC847BLP4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	3-XFDFN	Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin DFN T/R	Для сравнения