BC847AMTF Альтернативные части: BC847A-7-F

BC847AMTFON Semiconductor

  • BC847AMTFON Semiconductor
  • BC847A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 673034

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
-
Срок поставки от производителя
17 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
110
110
Рабочая температура
150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2008
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
45V
-
Максимальная потеря мощности
310mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
Моментальный ток
100mA
-
Частота
300MHz
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
40
Основной номер части
BC847
BC847
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
310mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA ICBO
15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Высота
930μm
1mm
Длина
2.92mm
3.05mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
Число контактов
-
3
Мощность - Макс
-
300mW