BC847A-7-F Альтернативные части: BC847CMTF

BC847A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2418

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1.167995 ₽
1.24 ₽
500
0.858819 ₽
429.40 ₽
1000
0.715687 ₽
715.66 ₽
2000
0.656593 ₽
1,313.19 ₽
5000
0.613640 ₽
3,068.13 ₽
10000
0.570824 ₽
5,708.24 ₽
15000
0.552060 ₽
8,280.91 ₽
50000
0.542830 ₽
27,141.48 ₽

Цена за единицу: 1.167995 ₽

Итоговая цена: 1.24 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иBC847A-7-F	иBC847CMTF
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Срок поставки от производителя	15 Weeks	-
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	45V	45V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	110	110
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	300mW	310mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Частота	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Основной номер части	BC847	BC847
Число контактов	3	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	350mW	310mW
Мощность - Макс	300mW	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	45V	45V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	110 @ 2mA 5V	420 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	15nA	15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	300MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	45V	45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V
Высота	1mm	930μm
Длина	3.05mm	2.92mm
Ширина	1.4mm	1.3mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	45V
Моментальный ток	-	100mA
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC847C-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	Для сравнения
BC847B-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE	Для сравнения
BC847CMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23	Для сравнения
BC847AMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP	Для сравнения