BC81740MTF Альтернативные части: BC817-40-7-F

BC81740MTFON Semiconductor

  • BC81740MTFON Semiconductor
  • BC817-40-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 6699

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    7.898352 ₽

    7.97 ₽

  • 10

    7.451277 ₽

    74.45 ₽

  • 100

    7.029505 ₽

    702.88 ₽

  • 500

    6.631607 ₽

    3,315.80 ₽

  • 1000

    6.256236 ₽

    6,256.18 ₽

Цена за единицу: 7.898352 ₽

Итоговая цена: 7.97 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
DIODES INC. - BC817-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
-
Срок поставки от производителя
13 Weeks
19 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
-
Рабочая температура
150°C TJ
-65°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2005
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
310mW
310mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Частота
100MHz
100MHz
Основной номер части
BC817
BC817
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
310mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
800mA
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
250 @ 100mA 1V
250 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода
100MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Высота
1.2mm
1mm
Длина
2.9mm
3.05mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
500mA
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3