BC81716MTF Альтернативные части: BC81740MTF

BC81716MTFON Semiconductor

  • BC81716MTFON Semiconductor
  • BC81740MTFON Semiconductor

В наличии: 63603

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.478654 ₽

    5.49 ₽

  • 500

    4.028448 ₽

    2,014.29 ₽

  • 1000

    3.357019 ₽

    3,357.01 ₽

  • 2000

    3.079835 ₽

    6,159.62 ₽

  • 5000

    2.878352 ₽

    14,391.76 ₽

  • 10000

    2.677541 ₽

    26,775.41 ₽

  • 15000

    2.589464 ₽

    38,842.03 ₽

  • 50000

    2.546195 ₽

    127,309.75 ₽

Цена за единицу: 5.478654 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
59.987591mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
60
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2004
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
310mW
310mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Частота
100MHz
100MHz
Основной номер части
BC817
BC817
Напряжение
45V
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Текущий
8A
-
Распад мощности
310mW
310mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
45V
Максимальный ток сбора
800mA
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
110 @ 100mA 1V
250 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода
100MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
45V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Высота
970μm
1.2mm
Длина
2.9mm
2.9mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
REACH SVHC
-
No SVHC