BC81716MTFON Semiconductor
В наличии: 63603
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽
Цена за единицу: 5.478654 ₽
Итоговая цена: 5.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23 |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 13 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 59.987591mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 45V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 60 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 310mW | 310mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Частота | 100MHz | 100MHz |
Основной номер части | BC817 | BC817 |
Напряжение | 45V | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Текущий | 8A | - |
Распад мощности | 310mW | 310mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 100MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 45V |
Максимальный ток сбора | 800mA | 800mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 110 @ 100mA 1V | 250 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA | 700mV @ 50mA, 500mA |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 45V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Высота | 970μm | 1.2mm |
Длина | 2.9mm | 2.9mm |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
REACH SVHC | - | No SVHC |