BC817-40Q-13-F Альтернативные части: MMBT100

BC817-40Q-13-FDiodes Incorporated

  • BC817-40Q-13-FDiodes Incorporated
  • MMBT100ON Semiconductor

В наличии: 14288

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.106442 ₽

    4.12 ₽

  • 500

    3.019492 ₽

    1,509.75 ₽

  • 1000

    2.516154 ₽

    2,516.21 ₽

  • 2000

    2.308434 ₽

    4,616.90 ₽

  • 5000

    2.157418 ₽

    10,787.09 ₽

  • 10000

    2.006882 ₽

    20,068.82 ₽

  • 15000

    1.940879 ₽

    29,113.19 ₽

  • 50000

    1.908448 ₽

    95,422.39 ₽

Цена за единицу: 4.106442 ₽

Итоговая цена: 4.12 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя
19 Weeks
39 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
500mA
-
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
Опубликовано
2006
2008
Код JESD-609
e3
e3
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
Максимальная потеря мощности
310mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Частота
100MHz
250MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
-
Конфигурация
SINGLE
-
Распад мощности
350mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
700mV
45V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
250 @ 100mA 1V
100 @ 150mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
400mV @ 20mA, 200mA
Частота перехода
100MHz
250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Покрытие контактов
-
Tin
Вес
-
30mg
Минимальная частота работы в герцах
-
100
Безоловая кодировка
-
yes
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
45V
Моментальный ток
-
500mA
Основной номер части
-
MMBT100
Конфигурация элемента
-
Single
Продуктивность полосы частот
-
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
45V
Максимальное напряжение на выходе
-
0.2 V
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
4.5pF
Высота
-
970μm
Длина
-
2.9mm
Ширина
-
1.3mm
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
Без свинца
-
Lead Free