Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC817-25-7-F Альтернативные части: BCW66G
BC817-25-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 3010
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2.073077 ₽
2.06 ₽
10
1.955728 ₽
19.51 ₽
100
1.845027 ₽
184.48 ₽
500
1.740591 ₽
870.33 ₽
1000
1.642074 ₽
1,642.03 ₽
Цена за единицу: 2.073077 ₽
Итоговая цена: 2.06 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 8 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 45V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 500mA | 1A |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Опубликовано | 2008 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 310mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Частота | 100MHz | 100MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | BC817 | BCW66 |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 170MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 45V |
Максимальный ток сбора | 800mA | 1A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 160 @ 100mA 1V | 160 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 20nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA | 700mV @ 50mA, 500mA |
Частота перехода | 100MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 150V | 45V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 75V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Высота | 1mm | 930μm |
Длина | 3.05mm | 2.9mm |
Ширина | 1.4mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
Поставщик упаковки устройства | - | SOT-23-3 |
Минимальная частота работы в герцах | - | 160 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 45V |
Моментальный ток | - | 1A |
Направленность | - | NPN |
Мощность - Макс | - | 350mW |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 45V |
Максимальная частота | - | 100MHz |
Частота - Переход | - | 100MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC817-16-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817-16 Series NPN 45 V 310 mW Small Signal Transistor Surface Mount - SOT-23-3 | Для сравнения |
 | BC81716MTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| BC817-40-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - BC817-40-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 500 mA, 250 hFE | Для сравнения |
| BCW66G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | Для сравнения |