BC32740BU Альтернативные части: BC32716 ,BC32716BU

BC32740BUON Semiconductor

  • BC32740BUON Semiconductor
  • BC32716ON Semiconductor
  • BC32716BUON Semiconductor

В наличии: 6592

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    30.702418 ₽

    30.77 ₽

  • 10

    28.964560 ₽

    289.70 ₽

  • 100

    27.325055 ₽

    2,732.55 ₽

  • 500

    25.778324 ₽

    12,889.15 ₽

  • 1000

    24.319190 ₽

    24,319.23 ₽

Цена за единицу: 30.702418 ₽

Итоговая цена: 30.77 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
7 Weeks
-
7 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов
3
3
3
Вес
179mg
200mg
179mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
45V
45V
45V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
100
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Bulk
Bulk
Опубликовано
2007
-
2002
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
-45V
-45V
-45V
Максимальная потеря мощности
625mW
625mW
625mW
Положение терминала
BOTTOM
-
BOTTOM
Моментальный ток
-800mA
-800mA
-800mA
Частота
100MHz
100MHz
100MHz
Основной номер части
BC327
BC327
BC327
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
625mW
625mW
625mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
PNP
-
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
45V
700mV
45V
Максимальный ток сбора
800mA
800mA
800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
250 @ 100mA 1V
100 @ 100mA 1V
100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода
100MHz
-
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
60V
-
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
-
-10V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-5V
-5V
Высота
4.58mm
-
4.58mm
Длина
4.58mm
-
4.58mm
Ширина
3.86mm
-
3.86mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
TO-92-3
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
800mA
-
Завершение
-
Through Hole
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Направленность
-
PNP
-
Мощность - Макс
-
625mW
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
45V
-
Частота - Переход
-
100MHz
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified