Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
BC32725BU Альтернативные части: BC32740BU
BC32725BUON Semiconductor
В наличии: 12317
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
30.702418 ₽
30.77 ₽
10
28.964560 ₽
289.70 ₽
100
27.325055 ₽
2,732.55 ₽
500
25.778324 ₽
12,889.15 ₽
1000
24.319190 ₽
24,319.23 ₽
Цена за единицу: 30.702418 ₽
Итоговая цена: 30.77 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 7 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 179mg | 179mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | -45V | 45V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 800mA | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 40 | 100 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Bulk | Bulk |
Опубликовано | 2007 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -45V | -45V |
Максимальная потеря мощности | 625mW | 625mW |
Положение терминала | BOTTOM | BOTTOM |
Моментальный ток | -800mA | -800mA |
Частота | 100MHz | 100MHz |
Основной номер части | BC327 | BC327 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 1.5W | 625mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 260MHz | 100MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | -45V | 45V |
Максимальный ток сбора | -800mA | 800mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 160 @ 100mA 1V | 250 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA | 700mV @ 50mA, 500mA |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 45V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -5V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Высота | 5.33mm | 4.58mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V |
Длина | - | 4.58mm |
Ширина | - | 3.86mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC32740BU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP | Для сравнения |
| BC32716BU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 | Для сравнения |
 | BC32740TA | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 | Для сравнения |