BAV19 Альтернативные части: 1N4148TR ,BAY72

BAV19ON Semiconductor

  • BAV19ON Semiconductor
  • 1N4148TRON Semiconductor
  • BAY72ON Semiconductor

В наличии: 43781

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Diode Small Signal Switching 125V 0.2A 2-Pin DO-35
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-204AH, DO-35, Axial
Количество контактов
2
2
2
Поставщик упаковки устройства
DO-35
-
-
Пакетирование
Bulk
Tape & Reel (TR)
Bulk
Опубликовано
2016
2012
2016
Состояние изделия
Obsolete
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
175°C
175°C
175°C
Минимальная температура работы
-65°C
-55°C
-65°C
Капацитивность
5pF
4pF
5pF
Ток постоянного напряжения - номинальный
120V
100V
125V
Моментальный ток
200mA
200mA
200mA
Основной номер части
BAV19
1N4148
BAY72
Направленность
Standard
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Скорость
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Тип диода
Standard
Standard
Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
100nA @ 100V
5μA @ 75V
100nA @ 100V
Распад мощности
500mW
500mW
500mW
Ток выпуска
200mA
200mA
200mA
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
1.25V @ 200mA
1V @ 10mA
1V @ 100mA
Температура работы - переходная
175°C Max
-65°C~175°C
175°C Max
Максимальный импульсный ток
4A
4A
4A
Максимальное обратное напряжение (Вр)
120V
-
-
Ток - Средний прямоугольный
200mA
-
-
Напряжение включения
1.25V
1V
1V
Максимальное обратное напряжение (постоянное)
120V
100V
125V
Средний выпрямленный ток
200mA
200mA
200mA
Время обратной рекомпенсации
50ns
4 ns
50 ns
Пиковая обратная токовая сила
100nA
5μA
100nA
Емкость @ Vr, Ф
5pF @ 0V 1MHz
4pF @ 0V 1MHz
5pF @ 0V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток
4A
4A
4A
Обратная напряжение
120V
100V
125V
Время восстановления
50 ns
4 ns
400 ns
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
-
18 Weeks
-
Покрытие контактов
-
Tin
-
Вес
-
4.535924g
-
Материал диодного элемента
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
2
2
Завершение
-
Axial
-
Код ECCN
-
EAR99
-
Код ТН ВЭД
-
8541.10.00.70
-
Максимальная потеря мощности
-
500mW
-
Форма вывода
-
WIRE
WIRE
Напряжение
-
75V
-
Текущий
-
3A
-
Сокетная связка
-
ISOLATED
ISOLATED
Напряжённая мощность
-
200mA
200mA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
-
100V
125V
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
-
1A
-
Внешний диаметр
-
1.85 mm
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
175°C
-
Высота
-
1.91mm
-
Длина
-
6.35mm
-
Ширина
-
6.35mm
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Применение
-
-
GENERAL PURPOSE
Количество фаз
-
-
1