APT75GN120LG Альтернативные части: IXYK120N120C3

APT75GN120LGMicrosemi Corporation

  • APT75GN120LGMicrosemi Corporation
  • IXYK120N120C3IXYS

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264
IGBT 1200V 240A 1500W TO264
Срок поставки от производителя
24 Weeks
17 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-264-3, TO-264AA
TO-264-3, TO-264AA
Вес
10.6g
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
1.2kV
1.2kV
Количество элементов
1
1
Условия испытания
800V, 75A, 1 Ω, 15V
600V, 100A, 1 Ω, 15V
Время отключения
620 ns
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Опубликовано
1999
2013
Код JESD-609
e1
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
-
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
1.2kV
-
Максимальная потеря мощности
833W
1.5kW
Моментальный ток
200A
-
Число контактов
3
-
Код JESD-30
R-PSFM-T3
R-PSFM-T3
Конфигурация элемента
Single
Single
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
Входной тип
Standard
Standard
Время задержки включения
60 ns
-
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
1.2kV
3.2V
Максимальный ток сбора
200A
240A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
1200V
1200V
Время включения
101 ns
105 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
3.2V @ 15V, 120A
Прямоходящий ток коллектора
200A
-
Время выключения (toff)
925 ns
346 ns
Тип ИGBT
Trench Field Stop
-
Зарядная мощность
425nC
412nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
225A
700A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
60ns/620ns
35ns/176ns
Переключаемый энергопотребление
8620μJ (on), 11400μJ (off)
6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
30V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
6.5V
5V
Высота
5.21mm
-
Длина
26.49mm
-
Ширина
20.5mm
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Серия
-
GenX3™, XPT™
Распад мощности
-
1.5kW
Мощность - Макс
-
1500W