Все продукты
Место отправки: 
Китай
APT25GN120SG Альтернативные части: APT25GR120S ,IXA12IF1200TC
APT25GN120SGMicrosemi Corporation
В наличии:
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Belarus
Russia
Ukraine
China
United States
Canada
Japan
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins |
Срок поставки от производителя | 25 Weeks | 19 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3 |
Количество контактов | 3 | - | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 1.2kV | 1.2kV | 1.2kV |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Условия испытания | 800V, 25A, 1 Ω, 15V | 600V, 25A, 4.3 Ω, 15V | - |
Время отключения | 280 ns | - | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tube | Bulk | - |
Опубликовано | 1999 | 2001 | - |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | - |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - |
Количество выводов | 2 | - | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Максимальная потеря мощности | 272W | 521W | - |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 245 | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | NOT SPECIFIED |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Сокетная связка | COLLECTOR | - | - |
Входной тип | Standard | Standard | - |
Время задержки включения | 22 ns | - | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.2kV | 3.2V | 2.1V |
Максимальный ток сбора | 67A | 75A | 20A |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 1200V | 1200V | - |
Время включения | 39 ns | - | 110 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A | 3.2V @ 15V, 25A | - |
Прямоходящий ток коллектора | 67A | - | - |
Время выключения (toff) | 560 ns | - | 350 ns |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | NPT | - |
Зарядная мощность | 155nC | 203nC | - |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 75A | 100A | - |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 22ns/280ns | 16ns/122ns | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 6.5V | 6.5V | 6.5V |
Высота | 5.08mm | - | 5.1mm |
Длина | 16.05mm | - | 16.05mm |
Ширина | 13.99mm | - | 14mm |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Мощность - Макс | - | 521W | - |
Переключаемый энергопотребление | - | 742μJ (on), 427μJ (off) | - |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 30V | 20V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 85W |
Код JESD-609 | - | - | e3 |
Конечная обработка контакта | - | - | PURE TIN |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Распад мощности | - | - | 85W |
Время обратной рекомпенсации | - | - | 350 ns |
Код JEDEC-95 | - | - | TO-268AA |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXA4IF1200TC | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3 | - | Для сравнения |
 | APT25GR120SD15 | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Для сравнения |
| APT25GR120S | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Для сравнения |
 | IXA12IF1200TC | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins | Для сравнения |