AFT20S015NR1NXP USA Inc.
В наличии: 397
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2,752.663626 ₽
2,752.61 ₽
10
2,596.852500 ₽
25,968.54 ₽
100
2,449.860838 ₽
244,986.13 ₽
500
2,311.189437 ₽
1,155,594.78 ₽
1000
2,180.367390 ₽
2,180,367.45 ₽
Цена за единицу: 2,752.663626 ₽
Итоговая цена: 2,752.61 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | - | 10 Weeks |
Корпус / Кейс | TO-270AA | TO-270BA | TO-270BA |
Поверхностный монтаж | YES | - | YES |
Рабочая температура (макс.) | 125°C | - | 225°C |
Номинальное напряжение | 65V | 68V | 68V |
Уровень применения | Automotive grade | - | Military grade |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2007 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 3 (168 Hours) | 3 (168 Hours) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | 8541.29.00.40 | - | 8541.29.00.75 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Частота | 2.17GHz | 2.6GHz | 960MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Конфигурация | Single | - | SINGLE |
Ток - испытание | 132mA | 160mA | 125mA |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
Тип транзистора | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
Увеличение | 17.6dB | 14dB | 18dB |
Выводная мощность | 1.5W | 3W | 10W |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Напряжение - испытание | 28V | 28V | 28V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | Non-RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | not_compliant |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Количество элементов | - | - | 1 |
Количество выводов | - | - | 2 |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Основной номер части | - | - | MW6S010 |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G2 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Режим работы | - | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | - | - | SOURCE |
Применение транзистора | - | - | AMPLIFIER |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 68V |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | - | 61.4W |