Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
55GN01FA-TL-H Альтернативные части: 15GN03MA-TL-E
55GN01FA-TL-HON Semiconductor
В наличии: 7661
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽
Цена за единицу: 59.485934 ₽
Итоговая цена: 59.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin SSFP T/R | RF Transistor, NPN Single, 10 V, 70 mA, fT = 1.5 GHz |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 2 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-81 | SC-70, SOT-323 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 10V | 10V |
Количество элементов | 1 | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2011 |
Код JESD-609 | e6 | e6 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 400mW |
Частота | 5.5GHz | - |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация | Single | Single |
Распад мощности | 250mW | - |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 10V | 10V |
Максимальный ток сбора | 70mA | 70mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 10mA 5V | 100 @ 10mA 5V |
Увеличение | 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz | 13dB @ 0.4GHz |
Частота перехода | 3000MHz | 1000MHz |
Частота - Переход | 4.5GHz~5.5GHz | 1.5GHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 20V | 20V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | 3V |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 1.9dB @ 1GHz | 1.6dB @ 0.4GHz |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Минимальная частота работы в герцах | - | 100 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED |
Мощность - Макс | - | 400mW |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SC4082T106P | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN 20V 0.05A SOT-323 | Для сравнения |
 | 15GN03MA-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-70, SOT-323 | RF Transistor, NPN Single, 10 V, 70 mA, fT = 1.5 GHz | Для сравнения |
| DTC114YUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | Для сравнения |
| 2SC4083T106N | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN 11V 0.05A SOT-323 | Для сравнения |