Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
4N25V Альтернативные части: TCDT1102G
4N25VVishay Semiconductor Opto Division
В наличии: 762
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
78.674945 ₽
78.71 ₽
10
74.221662 ₽
742.17 ₽
100
70.020412 ₽
7,002.06 ₽
500
66.057019 ₽
33,028.57 ₽
1000
62.317940 ₽
62,317.99 ₽
Цена за единицу: 78.674945 ₽
Итоговая цена: 78.71 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR >20% | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 100-200% |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | 6-DIP (0.300, 7.62mm) | 6-DIP (0.400, 10.16mm) |
Количество контактов | 6 | 6 |
Коэффициент передачи тока-мин | 20% @ 10mA | 63% @ 10mA |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~100°C | -55°C~110°C |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2005 | 2005 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 1.3V | - |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW |
Основной номер части | 4N25 | - |
Токовая изоляция | 5000Vrms | 5000Vrms |
Выводной напряжение | 32V | 32V |
Выводной тип | Transistor with Base | Transistor |
Каналов количество | 1 | 1 |
Распад мощности | 250mW | 250mW |
Напряжение - прямое (Vf) (Тип) | 1.2V | 1.25V |
Входной тип | DC | DC |
Напряжённая мощность | 60mA | 60mA |
Максимальная выходная напряжение | 32V | 32V |
Выходный ток на канал | 50mA | 50mA |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 32V | 32V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA |
Время подъёма / падения (тип) | 7μs 6.7μs | 7μs 6.7μs |
Обратное пробивное напряжение | 5V | 5V |
Максимальный входной ток | 50mA | 60mA |
Ток входа | 50mA | 50mA |
Время включения / выключения (тип) | 11μs, 7μs | 11μs, 7μs |
Коэффициент передачи тока | 100 % | - |
REACH SVHC | Unknown | Unknown |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Поставщик упаковки устройства | - | 6-DIP |
Диэлектрический пробой напряжение | - | 32V |
Максимальная рабочая температура | - | 100°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Интервал строк | - | 10.16 mm |
Время подъема | - | 7μs |
Напряжение включения | - | 1.6V |
Текущий - постоянный прямой (Если) (Макс.) | - | 60mA |
Коэффициент передачи тока (макс) | - | 125% @ 10mA |
Максимальная насыщенность коллектора | - | 300mV |
Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCDT1101 | Vishay Semiconductor Opto Division | Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход | 6-DIP (0.300, 7.62mm) | Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 6-Pin PDIP | Для сравнения |
 | CQY80NG | Vishay Semiconductor Opto Division | Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход | 6-DIP (0.400, 10.16mm) | VISHAY CQY80NG Transistor Output Optocoupler, 1 Channel, 5 kV, 50 %, 60 mA, DIP, 6 Pins | Для сравнения |
| TCDT1102G | Vishay Semiconductor Opto Division | Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход | 6-DIP (0.400, 10.16mm) | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 100-200% | Для сравнения |
 | CNY17F-1 | Lite-On Inc. | Оптоизоляторы - Транзистор, Фотогальванический Выход | 6-DIP (0.300, 7.62mm) | OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP | Для сравнения |