2SD2114KT146V Альтернативные части: IMX9T110

2SD2114KT146VROHM Semiconductor

  • 2SD2114KT146VROHM Semiconductor
  • IMX9T110ROHM Semiconductor

В наличии: 78559

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.986264 ₽

    4.95 ₽

  • 10

    4.704025 ₽

    46.98 ₽

  • 100

    4.437761 ₽

    443.82 ₽

  • 500

    4.186566 ₽

    2,093.27 ₽

  • 1000

    3.949588 ₽

    3,949.59 ₽

Цена за единицу: 4.986264 ₽

Итоговая цена: 4.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346
TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT
Срок поставки от производителя
13 Weeks
17 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-74, SOT-457
Количество контактов
3
6
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
20V
20V
Количество элементов
1
2
Минимальная частота работы в герцах
820
560
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2000
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
6
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN/TIN COPPER
TIN SILVER COPPER
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
20V
20V
Максимальная потеря мощности
200mW
300mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
500mA
500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
2SD2114
*MX9
Число контактов
3
6
Конфигурация элемента
Single
Dual
Распад мощности
200mW
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
350MHz
350MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
20V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
820 @ 10mA 3V
560 @ 10mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 20mA, 500mA
Частота перехода
350MHz
350MHz
Максимальное напряжение разрушения
20V
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
25V
25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
12V
12V
Прямоходящий ток коллектора
500mA
500mA
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
0.4 V
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Код JESD-609
-
e1
Направленность
-
NPN