Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC5658T2LQ Альтернативные части: NSV2SC5658M3T5G ,DTC124EMT2L
2SC5658T2LQROHM Semiconductor
В наличии: 24000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.381868 ₽
4.40 ₽
10
4.133832 ₽
41.35 ₽
100
3.899849 ₽
389.97 ₽
500
3.679107 ₽
1,839.56 ₽
1000
3.470852 ₽
3,470.88 ₽
Цена за единицу: 4.381868 ₽
Итоговая цена: 4.40 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN 50V 0.15A VMT3 | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-723 T/R | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 8 Weeks | 13 Weeks |
Покрытие контактов | Copper, Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-723 | SOT-723 | SOT-723 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | - | 56 |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2012 | 2006 |
Код JESD-609 | e2 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin (Sn) | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 260mW | 150mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Моментальный ток | 150mA | - | 30mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | - | 10 |
Основной номер части | 2SC5658 | - | DTC124 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 150mW | - | 150mW |
Продуктивность полосы частот | 180MHz | 180MHz | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 400mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA | 30mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 1mA 6V | 120 @ 1mA 6V | 56 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | 400mV @ 5mA, 50mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Максимальная частота | 180MHz | - | - |
Частота перехода | 180MHz | 180MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | - | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 5V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | - | - |
Прямоходящий ток коллектора | 150mA | - | 100mA |
Высота | 500μm | - | - |
Длина | 1.2mm | - | - |
Ширина | 800μm | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 150mA | - |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 | - |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | SWITCHING |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Направленность | - | - | NPN |
Частота - Переход | - | - | 250MHz |
База (R1) | - | - | 22 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | - | 22 k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC124EMT2L | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Для сравнения |
| 2SD2707T2LV | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-723 | TRANS NPN 50V 0.15A VMT3 | Для сравнения |
 | 2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-723 | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VESM Embossed T/R | Для сравнения |
 | NSV2SC5658M3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-723 | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-723 T/R | Для сравнения |