2SC5658T2LQ Альтернативные части: DTC124EMT2L ,2SD2707T2LV

2SC5658T2LQROHM Semiconductor

  • 2SC5658T2LQROHM Semiconductor
  • DTC124EMT2LROHM Semiconductor
  • 2SD2707T2LVROHM Semiconductor

В наличии: 24000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.381868 ₽

    4.40 ₽

  • 10

    4.133832 ₽

    41.35 ₽

  • 100

    3.899849 ₽

    389.97 ₽

  • 500

    3.679107 ₽

    1,839.56 ₽

  • 1000

    3.470852 ₽

    3,470.88 ₽

Цена за единицу: 4.381868 ₽

Итоговая цена: 4.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Tin
-
Copper, Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-723
SOT-723
SOT-723
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
56
820
Рабочая температура
150°C TJ
-
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2006
2004
Код JESD-609
e2
-
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
Tin/Copper (Sn/Cu)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
50V
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
FLAT
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
150mA
30mA
150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Основной номер части
2SC5658
DTC124
2SD2707
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
150mW
150mW
150mW
Продуктивность полосы частот
180MHz
-
250MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN - Pre-Biased
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
50V
Максимальный ток сбора
150mA
30mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
56 @ 5mA 5V
820 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA
300nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота
180MHz
-
-
Частота перехода
180MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
-
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
-
12V
Прямоходящий ток коллектора
150mA
100mA
150mA
Высота
500μm
-
-
Длина
1.2mm
-
-
Ширина
800μm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
-
Максимальный выходной ток
-
100mA
-
Входной напряжение питания
-
50V
-
Направленность
-
NPN
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Частота - Переход
-
250MHz
-
База (R1)
-
22 k Ω
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
22 k Ω
-
Завершение
-
-
SMD/SMT
Частота
-
-
250MHz