2SC5658T2LQ Альтернативные части: 2SD2707T2LV ,2SC6026MFVGR,L3F

2SC5658T2LQROHM Semiconductor

  • 2SC5658T2LQROHM Semiconductor
  • 2SD2707T2LVROHM Semiconductor
  • 2SC6026MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 24000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.381868 ₽

    4.40 ₽

  • 10

    4.133832 ₽

    41.35 ₽

  • 100

    3.899849 ₽

    389.97 ₽

  • 500

    3.679107 ₽

    1,839.56 ₽

  • 1000

    3.470852 ₽

    3,470.88 ₽

Цена за единицу: 4.381868 ₽

Итоговая цена: 4.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VESM Embossed T/R
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
12 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Tin
Copper, Silver, Tin
Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-723
SOT-723
SOT-723
Количество контактов
3
3
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
-
Минимальная частота работы в герцах
120
820
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2011
2004
2014
Код JESD-609
e2
e2
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn/Cu)
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
-
Максимальная потеря мощности
150mW
150mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
FLAT
FLAT
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
150mA
150mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
-
Основной номер части
2SC5658
2SD2707
-
Число контактов
3
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
-
Распад мощности
150mW
150mW
-
Продуктивность полосы частот
180MHz
250MHz
60MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
820 @ 1mA 5V
200 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
300nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 10mA, 100mA
Максимальная частота
180MHz
-
-
Частота перехода
180MHz
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
12V
5V
Прямоходящий ток коллектора
150mA
150mA
150mA
Высота
500μm
-
500μm
Длина
1.2mm
-
1.2mm
Ширина
800μm
-
800μm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Завершение
-
SMD/SMT
-
Частота
-
250MHz
-