Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC5200RTU Альтернативные части: 2SC5200OTU ,FJL4315OTU
2SC5200RTUON Semiconductor
В наличии: 252
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
249.026923 ₽
249.04 ₽
10
234.931058 ₽
2,349.31 ₽
100
221.633077 ₽
22,163.32 ₽
500
209.087775 ₽
104,543.96 ₽
1000
197.252665 ₽
197,252.61 ₽
Цена за единицу: 249.026923 ₽
Итоговая цена: 249.04 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN 250V 17A TO264 | Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 2 Weeks | 2 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
Вес | 6.756g | 6.756g | 6.756g |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 250V | 250V | 250V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 55 | 55 | 55 |
Рабочая температура | -50°C~150°C TJ | -50°C~150°C TJ | -50°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Опубликовано | 2015 | 2005 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 150W | 150W | 150W |
Частота | 30MHz | 30MHz | 30MHz |
Основной номер части | 2SC5200 | 2SC5200 | - |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 150W | 150W | 150W |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 30MHz | 30MHz | 30MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 250V | 250V | 250V |
Максимальный ток сбора | 17A | 17A | 17A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 55 @ 1A 5V | 80 @ 1A 5V | 80 @ 1A 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 5μA ICBO | 5μA ICBO | 5μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | 3V @ 800mA, 8A | 3V @ 800mA, 8A |
Частота перехода | 30MHz | 30MHz | 30MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 250V | 250V | 250V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V | 5V |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Производитель идентификатор упаковки | - | - | TO264A03REV2 |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 230V |
Моментальный ток | - | - | 15A |
Высота | - | - | 26mm |
Длина | - | - | 20mm |
Ширина | - | - | 5mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA1943OTU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | Для сравнения |
| 2SC5200OTU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | Для сравнения |
| FJL4315OTU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | Для сравнения |