2SC4915-Y,LF Альтернативные части: 2SC4215-Y(TE85L,F) ,2SC2714-Y(TE85L,F)

2SC4915-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC4915-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
  • 2SC4215-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
  • 2SC2714-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 33056

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS RF NPN 30V 550MHZ SSM
Trans GP BJT NPN 30V 0.02A 3-Pin USM T/R
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
Срок поставки от производителя
16 Weeks
16 Weeks
12 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-75, SOT-416
SC-70, SOT-323
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Рабочая температура
125°C TJ
125°C TJ
125°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2014
2009
2011
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
100mW
100mW
100mW
Мощность - Макс
100mW
-
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Максимальный ток сбора
20mA
20mA
20mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 1mA 6V
100 @ 1mA 6V
100 @ 1mA 6V
Увеличение
17dB ~ 23dB
17dB ~ 23dB
23dB
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
30V
Частота - Переход
550MHz
-
-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
2dB ~ 5dB @ 100MHz
2.5dB @ 100MHz
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Покрытие контактов
-
Silver, Tin
-
Количество контактов
-
3
-
Количество элементов
-
1
1
Минимальная частота работы в герцах
-
40
40
Код ECCN
-
EAR99
-
Частота
-
550MHz
-
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Распад мощности
-
100mW
-
Продуктивность полосы частот
-
550MHz
550MHz
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-
30V
30V
Частота перехода
-
260MHz
550MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
40V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
4V
4V
Корпусировка на излучение
-
No
-
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество выводов
-
-
3
Положение терминала
-
-
DUAL
Форма вывода
-
-
GULL WING
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-G3
Применение транзистора
-
-
AMPLIFIER
Прямоходящий ток коллектора
-
-
20mA
Частотная полоса наивысшего режима
-
-
VERY HIGH FREQUENCY B