2SC4116SU-Y,LF Альтернативные части: 2SC4081T106S ,2PC4617R,135

2SC4116SU-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage

  • 2SC4116SU-Y,LFToshiba Semiconductor and Storage
  • 2SC4081T106SROHM Semiconductor
  • 2PC4617R,135NXP USA Inc.

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323
TRANS NPN 50V 0.15A SC-75
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount, Through Hole
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-75, SOT-416
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
-
Минимальная частота работы в герцах
70
120
-
Рабочая температура
125°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2009
2009
Состояние изделия
Discontinued
Not For New Designs
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
100mW
200mW
-
Основной номер части
2SC4116
2SC4081
2PC4617
Мощность - Макс
100mW
-
150mW
Продуктивность полосы частот
80MHz
180MHz
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
250mV
50V
-
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
70 @ 2mA 6V
120 @ 1mA 6V
180 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
400mV @ 5mA, 50mA
200mV @ 5mA, 50mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
7V
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя
-
10 Weeks
-
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
-
Количество контактов
-
3
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Код JESD-609
-
e1
e3
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
3
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
50V
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Моментальный ток
-
150mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
40
Число контактов
-
3
3
Конфигурация элемента
-
Single
-
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Частота перехода
-
180MHz
100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
60V
-
Прямоходящий ток коллектора
-
150mA
-
Максимальное напряжение на выходе
-
0.4 V
-
Корпусировка на излучение
-
No
-
Без свинца
-
Lead Free
-
Поверхностный монтаж
-
-
YES
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
150mA
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-G3
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Конфигурация
-
-
SINGLE
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
50V
Частота - Переход
-
-
100MHz
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
-
0.15W