2SC4081UBTLR Альтернативные части: UMF28NTR ,2SCR523UBTL

2SC4081UBTLRROHM Semiconductor

  • 2SC4081UBTLRROHM Semiconductor
  • UMF28NTRROHM Semiconductor
  • 2SCR523UBTLROHM Semiconductor

В наличии: 12471

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.925000 ₽

    1.92 ₽

  • 10

    1.816044 ₽

    18.13 ₽

  • 100

    1.713242 ₽

    171.29 ₽

  • 500

    1.616264 ₽

    808.10 ₽

  • 1000

    1.524780 ₽

    1,524.73 ₽

Цена за единицу: 1.925000 ₽

Итоговая цена: 1.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 50V 0.15A UMT3F
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Срок поставки от производителя
10 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-85
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-85
Количество контактов
85
6
85
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
2
1
Минимальная частота работы в герцах
120
-
120
Рабочая температура
150°C TJ
-
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2010
2005
2010
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
6
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
FLAT
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
10
10
Основной номер части
2SC4081
-
-
Код JESD-30
R-PDSO-F3
-
R-PDSO-F3
Конфигурация элемента
Single
Dual
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
180MHz
-
350MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
50V
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
68 @ 5mA 5V / 180 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 500μA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота
100MHz
-
-
Частота перехода
180MHz
250MHz
350MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
-
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
-
5V
Прямоходящий ток коллектора
150mA
-
200mA
Высота
900μm
-
-
Длина
2mm
-
-
Ширина
1.25mm
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
100mA 150mA
-
Код JESD-609
-
e2
e1
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Конечная обработка контакта
-
TIN COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Число контактов
-
6
3
Максимальный выходной ток
-
100mA
-
Направленность
-
NPN, PNP
-
Каналов количество
-
2
-
Максимальная напряжённость питания
-
50V
-
Минимальное входное напряжение
-
-10V
-
Максимальное напряжение входа
-
40V
-
Частота - Переход
-
250MHz 140MHz
-
База (R1)
-
22k Ω
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
47k Ω
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Мощность - Макс
-
-
200mW