2SC4081UBTLR Альтернативные части: 2SCR523UBTL ,2SC4081T106S

2SC4081UBTLRROHM Semiconductor

  • 2SC4081UBTLRROHM Semiconductor
  • 2SCR523UBTLROHM Semiconductor
  • 2SC4081T106SROHM Semiconductor

В наличии: 12471

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.925000 ₽

    1.92 ₽

  • 10

    1.816044 ₽

    18.13 ₽

  • 100

    1.713242 ₽

    171.29 ₽

  • 500

    1.616264 ₽

    808.10 ₽

  • 1000

    1.524780 ₽

    1,524.73 ₽

Цена за единицу: 1.925000 ₽

Итоговая цена: 1.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 50V 0.15A UMT3F
TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323
Срок поставки от производителя
10 Weeks
13 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount, Through Hole
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-85
SC-85
SC-70, SOT-323
Количество контактов
85
85
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
120
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2010
2010
2009
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
FLAT
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
10
10
Основной номер части
2SC4081
-
2SC4081
Код JESD-30
R-PDSO-F3
R-PDSO-F3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
180MHz
350MHz
180MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
150mA
100mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 5mA, 50mA
400mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота
100MHz
-
-
Частота перехода
180MHz
350MHz
180MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
50V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
5V
7V
Прямоходящий ток коллектора
150mA
200mA
150mA
Высота
900μm
-
-
Длина
2mm
-
-
Ширина
1.25mm
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Код JESD-609
-
e1
e1
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Конечная обработка контакта
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Число контактов
-
3
3
Мощность - Макс
-
200mW
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Покрытие контактов
-
-
Copper, Silver, Tin
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
50V
Моментальный ток
-
-
150mA
Максимальное напряжение на выходе
-
-
0.4 V