2SC4081T106Q Альтернативные части: FJX945GTF

2SC4081T106QROHM Semiconductor

В наличии: 30000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1.057692 ₽
1.10 ₽
500
0.777720 ₽
388.87 ₽
1000
0.648091 ₽
648.08 ₽
2000
0.594588 ₽
1,189.15 ₽
5000
0.555687 ₽
2,778.43 ₽
10000
0.516923 ₽
5,169.23 ₽
15000
0.499918 ₽
7,498.76 ₽
50000
0.491566 ₽
24,578.30 ₽

Цена за единицу: 1.057692 ₽

Итоговая цена: 1.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SC4081T106Q	иFJX945GTF
Производитель:	ROHM Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Срок поставки от производителя	10 Weeks	6 Weeks
Покрытие контактов	Copper, Silver, Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	120	70
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2004
Код JESD-609	e1	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Not For New Designs	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin (Sn)
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED
Моментальный ток	150mA	150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	NOT SPECIFIED
Основной номер части	2SC4081	FJX945
Число контактов	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	180MHz	300MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 6V	200 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA	300mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода	180MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7V	5V
Прямоходящий ток коллектора	150mA	-
Максимальное напряжение на выходе	0.4 V	-
REACH SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Вес	-	30mg
Частота	-	300MHz
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Распад мощности	-	200mW
Высота	-	900μm
Длина	-	2mm
Ширина	-	1.25mm

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FJX945GTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Для сравнения
DDTD114TU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTD143TU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Для сравнения
DDTD122LU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-70, SOT-323	Trans Digital BJT NPN 500mA 3-Pin SOT-323 T/R	Для сравнения