2SC2714-Y(TE85L,F) Альтернативные части: FMMT449 ,BC848BT116

2SC2714-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 7800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.774725 ₽
4.81 ₽
10
4.504464 ₽
45.05 ₽
100
4.249492 ₽
425.00 ₽
500
4.008956 ₽
2,004.53 ₽
1000
3.782033 ₽
3,782.01 ₽

Цена за единицу: 4.774725 ₽

Итоговая цена: 4.81 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SC2714-Y(TE85L,F)	иFMMT449	иBC848BT116
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	ON Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V	Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R	TRANS NPN 30V 0.1A SST3
Срок поставки от производителя	12 Weeks	7 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	40	100	200
Рабочая температура	125°C TJ	-55°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2008	2005
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Максимальная потеря мощности	100mW	500mW	350mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Код JESD-30	R-PDSO-G3	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Применение транзистора	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	550MHz	150MHz	200MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	20mA	1A	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 1mA 6V	100 @ 500mA 2V	200 @ 2mA 5V
Увеличение	23dB	-	-
Частота перехода	550MHz	150MHz	200MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	30V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	50V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4V	5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	20mA	-	100mA
Частотная полоса наивысшего режима	VERY HIGH FREQUENCY B	-	-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)	2.5dB @ 100MHz	-	-
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)	-
Количество контактов	-	3	3
Вес	-	30mg	-
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	30V
Моментальный ток	-	1A	100mA
Частота	-	150MHz	-
Основной номер части	-	FMMT449	-
Распад мощности	-	500mW	-
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	-	1V @ 200mA, 2A	600mV @ 5mA, 100mA
Высота	-	940μm	-
Длина	-	2.92mm	-
Ширина	-	1.4mm	-
Корпусировка на излучение	-	No	No
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	-	Copper, Silver, Tin
Код JESD-609	-	-	e1
Код ТН ВЭД	-	-	8541.21.00.75
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	10
Число контактов	-	-	3

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC848BT116	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SST3	Для сравнения
2SC3265-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI	Для сравнения
BC848B-13-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
FMMT449	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения