Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SC2714-Y(TE85L,F) Альтернативные части: BC848B-13-F ,FMMT449
2SC2714-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 7800
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.774725 ₽
4.81 ₽
10
4.504464 ₽
45.05 ₽
100
4.249492 ₽
425.00 ₽
500
4.008956 ₽
2,004.53 ₽
1000
3.782033 ₽
3,782.01 ₽
Цена за единицу: 4.774725 ₽
Итоговая цена: 4.81 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V | TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 | Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 15 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 40 | - | 100 |
Рабочая температура | 125°C TJ | -65°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2004 | 2008 |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 310mW | 500mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Код JESD-30 | R-PDSO-G3 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 550MHz | - | 150MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 600mV | 30V |
Максимальный ток сбора | 20mA | 100mA | 1A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 1mA 6V | 450 @ 2mA 5V | 100 @ 500mA 2V |
Увеличение | 23dB | - | - |
Частота перехода | 550MHz | 300MHz | 150MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | - | 30V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | - | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4V | - | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 20mA | - | - |
Частотная полоса наивысшего режима | VERY HIGH FREQUENCY B | - | - |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 2.5dB @ 100MHz | - | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | - |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 | - |
Конфигурация | - | SINGLE | - |
Мощность - Макс | - | 310mW | - |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 15nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 600mV @ 5mA, 100mA | 1V @ 200mA, 2A |
Частота - Переход | - | 300MHz | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Состояние жизненного цикла | - | - | LIFETIME (Last Updated: 6 days ago) |
Вес | - | - | 30mg |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 30V |
Моментальный ток | - | - | 1A |
Частота | - | - | 150MHz |
Основной номер части | - | - | FMMT449 |
Распад мощности | - | - | 500mW |
Высота | - | - | 940μm |
Длина | - | - | 2.92mm |
Ширина | - | - | 1.4mm |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC848BT116 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SST3 | Для сравнения |
 | 2SC3265-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI | Для сравнения |
 | BC848B-13-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 | Для сравнения |
| FMMT449 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |