2SC2714-Y(TE85L,F) Альтернативные части: 2SC3265-Y,LF ,BC848B-13-F

2SC2714-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 7800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
4.774725 ₽
4.81 ₽
10
4.504464 ₽
45.05 ₽
100
4.249492 ₽
425.00 ₽
500
4.008956 ₽
2,004.53 ₽
1000
3.782033 ₽
3,782.01 ₽

Цена за единицу: 4.774725 ₽

Итоговая цена: 4.81 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SC2714-Y(TE85L,F)	и2SC3265-Y,LF	иBC848B-13-F
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V	TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	25V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	40	40	-
Рабочая температура	125°C TJ	150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2014	2004
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Максимальная потеря мощности	100mW	200mW	310mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Код JESD-30	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-
Конфигурация элемента	Single	-	-
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	550MHz	120MHz	-
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	400mV	600mV
Максимальный ток сбора	20mA	800mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 1mA 6V	160 @ 100mA 1V	450 @ 2mA 5V
Увеличение	23dB	-	-
Частота перехода	550MHz	120MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	25V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	30V	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4V	5V	-
Прямоходящий ток коллектора	20mA	800mA	-
Частотная полоса наивысшего режима	VERY HIGH FREQUENCY B	-	-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)	2.5dB @ 100MHz	-	-
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	260
Код соответствия REACH	-	unknown	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	40
Конфигурация	-	SINGLE	SINGLE
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	100nA ICBO	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	-	400mV @ 20mA, 500mA	600mV @ 5mA, 100mA
Количество контактов	-	-	3
Код JESD-609	-	-	e3
Безоловая кодировка	-	-	yes
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	-	HIGH RELIABILITY
Нормативная Марка	-	-	AEC-Q101
Мощность - Макс	-	-	310mW
Частота - Переход	-	-	300MHz
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BC848BT116	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SST3	Для сравнения
2SC3265-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI	Для сравнения
BC848B-13-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
FMMT449	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения