2SC2411KT146R Альтернативные части: DTD123TKT146

2SC2411KT146RROHM Semiconductor

  • 2SC2411KT146RROHM Semiconductor
  • DTD123TKT146ROHM Semiconductor

В наличии: 45425

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.050000 ₽

    6.04 ₽

  • 10

    5.707541 ₽

    57.14 ₽

  • 100

    5.384478 ₽

    538.46 ₽

  • 500

    5.079698 ₽

    2,539.84 ₽

  • 1000

    4.792170 ₽

    4,792.17 ₽

Цена за единицу: 6.050000 ₽

Итоговая цена: 6.04 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 32V 0.5A SOT-346
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
32V
40V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
100
Рабочая температура
150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2009
Код JESD-609
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
32V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
250MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
2SC2411
DTD123
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
250MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
32V
40V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 100mA 3V
100 @ 50mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 50mA, 500mA
300mV @ 2.5mA, 50mA
Частота перехода
250MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
32V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
500mA
500mA
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
-
DIGITAL
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Максимальный выходной ток
-
500mA
Входной напряжение питания
-
40V
Направленность
-
NPN
Частота - Переход
-
200MHz
База (R1)
-
2.2 k Ω
REACH SVHC
-
No SVHC