2SB1695KT146 Альтернативные части: US6T7TR ,MCH6542-TL-E

2SB1695KT146ROHM Semiconductor

  • 2SB1695KT146ROHM Semiconductor
  • US6T7TRROHM Semiconductor
  • MCH6542-TL-EON Semiconductor

В наличии: 30000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.590659 ₽

    5.63 ₽

  • 10

    5.274203 ₽

    52.75 ₽

  • 100

    4.975673 ₽

    497.53 ₽

  • 500

    4.694025 ₽

    2,346.98 ₽

  • 1000

    4.428324 ₽

    4,428.30 ₽

Цена за единицу: 5.590659 ₽

Итоговая цена: 5.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 30V 1.5A SMT3
TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6
TRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH
Срок поставки от производителя
13 Weeks
-
-
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-SMD, Flat Leads
6-SMD, Flat Leads
Количество контактов
3
6
6
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Количество элементов
1
1
-
Минимальная частота работы в герцах
270
270
-
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2007
2007
Код JESD-609
e1
e2
-
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
6
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
TIN COPPER
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-30V
-
Максимальная потеря мощности
200mW
1W
55mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
-1.5A
-1.5A
-
Частота
280MHz
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
-
Основной номер части
2SB1695
US6T
-
Число контактов
3
6
-
Конфигурация элемента
Single
Single
-
Распад мощности
200mW
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
-
Продуктивность полосы частот
280MHz
280MHz
-
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
-
Тип транзистора
PNP
PNP
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
200mV
Максимальный ток сбора
1.5A
1.5A
300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
270 @ 100mA 2V
300 @ 10mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
370mV @ 50mA, 1A
370mV @ 50mA, 1A
200mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
280MHz
280MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-30V
30V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-6V
6V
-
Прямоходящий ток коллектора
-1.5A
-
-
Высота
1mm
-
-
Длина
2.9mm
-
-
Ширина
1.6mm
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Мощность - Макс
-
1W
55mW
Направленность
-
-
NPN, PNP
Частота - Переход
-
-
380MHz