2SB1695KT146 Альтернативные части: MCH6542-TL-E ,2SB1731TL

2SB1695KT146ROHM Semiconductor

  • 2SB1695KT146ROHM Semiconductor
  • MCH6542-TL-EON Semiconductor
  • 2SB1731TLROHM Semiconductor

В наличии: 30000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.590659 ₽

    5.63 ₽

  • 10

    5.274203 ₽

    52.75 ₽

  • 100

    4.975673 ₽

    497.53 ₽

  • 500

    4.694025 ₽

    2,346.98 ₽

  • 1000

    4.428324 ₽

    4,428.30 ₽

Цена за единицу: 5.590659 ₽

Итоговая цена: 5.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 30V 1.5A SMT3
TRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH
TRANS PNP 30V 1.5A TUMT3
Срок поставки от производителя
13 Weeks
-
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Copper, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-SMD, Flat Leads
3-SMD, Flat Lead
Количество контактов
3
6
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Количество элементов
1
-
1
Минимальная частота работы в герцах
270
-
270
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2007
2007
Код JESD-609
e1
-
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
-
Tin/Copper (Sn/Cu)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-
-30V
Максимальная потеря мощности
200mW
55mW
400mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
-1.5A
-
-1.5A
Частота
280MHz
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
10
Основной номер части
2SB1695
-
2SB1731
Число контактов
3
-
3
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Распад мощности
200mW
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
280MHz
-
280MHz
Полярность/Тип канала
PNP
-
PNP
Тип транзистора
PNP
NPN, PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
200mV
370mV
Максимальный ток сбора
1.5A
300mA
1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
300 @ 10mA 2V
270 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
370mV @ 50mA, 1A
200mV @ 5mA, 100mA
370mV @ 50mA, 1A
Частота перехода
280MHz
-
280MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
-
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-30V
-
-30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-6V
-
-6V
Прямоходящий ток коллектора
-1.5A
-
-1.5A
Высота
1mm
-
-
Длина
2.9mm
-
-
Ширина
1.6mm
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Направленность
-
NPN, PNP
-
Мощность - Макс
-
55mW
400mW
Частота - Переход
-
380MHz
-
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75