2SB1695KT146 Альтернативные части: 2SB1731TL ,2SB1733TL

2SB1695KT146ROHM Semiconductor

  • 2SB1695KT146ROHM Semiconductor
  • 2SB1731TLROHM Semiconductor
  • 2SB1733TLROHM Semiconductor

В наличии: 30000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.590659 ₽

    5.63 ₽

  • 10

    5.274203 ₽

    52.75 ₽

  • 100

    4.975673 ₽

    497.53 ₽

  • 500

    4.694025 ₽

    2,346.98 ₽

  • 1000

    4.428324 ₽

    4,428.30 ₽

Цена за единицу: 5.590659 ₽

Итоговая цена: 5.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 30V 1.5A SMT3
TRANS PNP 30V 1.5A TUMT3
TRANS PNP 30V 1A TUMT3
Срок поставки от производителя
13 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
Copper, Tin
Copper, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3-SMD, Flat Lead
3-SMD, Flat Lead
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
270
270
270
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2007
2013
Код JESD-609
e1
e2
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
Tin/Copper (Sn/Cu)
Tin/Copper (Sn/Cu)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-30V
-
Максимальная потеря мощности
200mW
400mW
800mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
-1.5A
-1.5A
-
Частота
280MHz
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Основной номер части
2SB1695
2SB1731
2SB1733
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
280MHz
280MHz
400MHz
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
370mV
30V
Максимальный ток сбора
1.5A
1.5A
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
270 @ 100mA 2V
270 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
370mV @ 50mA, 1A
370mV @ 50mA, 1A
350mV @ 25mA, 500mA
Частота перехода
280MHz
280MHz
320MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-30V
-30V
-30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-6V
-6V
-6V
Прямоходящий ток коллектора
-1.5A
-1.5A
-
Высота
1mm
-
820μm
Длина
2.9mm
-
2.1mm
Ширина
1.6mm
-
1.8mm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Мощность - Макс
-
400mW
-
Максимальная частота
-
-
100MHz
Частота - Переход
-
-
320MHz