2SB1181TLQ Альтернативные части: 2SA1952TLQ ,TTA003,L1NQ(O

2SB1181TLQROHM Semiconductor

  • 2SB1181TLQROHM Semiconductor
  • 2SA1952TLQROHM Semiconductor
  • TTA003,L1NQ(OToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 3700

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 80V 1A SOT-428
TRANS PNP 60V 5A SOT-428
TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD
Срок поставки от производителя
17 Weeks
20 Weeks
18 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Tin
Copper, Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
80V
60V
80V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
120
-
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2000
2014
Код JESD-609
e2
e2
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Not For New Designs
Not For New Designs
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
-
Завершение
SMD/SMT
-
-
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
Tin/Copper (Sn98Cu2)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-80V
-60V
-
Максимальная потеря мощности
10W
1W
10W
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
-1A
-5A
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
-
Основной номер части
2SB1181
2SA1952
-
Число контактов
3
3
-
Код JESD-30
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
-
Конфигурация элемента
Single
Single
-
Распад мощности
1W
-
10W
Мощность - Макс
10W
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
80MHz
-
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
-
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
400mV
60V
80V
Максимальный ток сбора
1A
5A
3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 100mA 3V
120 @ 1A 2V
100 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA ICBO
10μA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
500mV @ 200mA, 4A
500mV @ 100mA, 1A
Максимальное напряжение разрушения
80V
60V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-80V
100V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-5V
7V
Прямоходящий ток коллектора
-1A
-5A
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Код ECCN
-
EAR99
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.75
-
Максимальная частота
-
80MHz
-
Частота перехода
-
80MHz
-
Время выключения максимальное (toff)
-
1800ns
-
Высота
-
2.3mm
-
Длина
-
6.5mm
-
Ширина
-
5.5mm
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
3A
Частота
-
-
100MHz