Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
2SA2097(TE16L1,NQ) Альтернативные части: 2SB1184TLQ
2SA2097(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 1197
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
123.193448 ₽
123.21 ₽
10
116.220261 ₽
1,162.23 ₽
100
109.641690 ₽
10,964.15 ₽
500
103.435577 ₽
51,717.86 ₽
1000
97.580728 ₽
97,580.77 ₽
Цена за единицу: 123.193448 ₽
Итоговая цена: 123.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | TRANS PNP 60V 3A SOT-428 |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 60V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2004 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Максимальная потеря мощности | 1W | 1W |
Положение терминала | SINGLE | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | SINGLE | - |
Распад мощности | 1W | 1W |
Сокетная связка | COLLECTOR | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 270mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 5A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 500mA 2V | 120 @ 500mA 3V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 1μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 270mV @ 53mA, 1.6A | 1V @ 200mA, 2A |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7V | -5V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Copper, Tin |
Минимальная частота работы в герцах | - | 82 |
Код JESD-609 | - | e2 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Copper (Sn98Cu2) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -60V |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | -3A |
Частота | - | 70MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Основной номер части | - | 2SB1184 |
Число контактов | - | 3 |
Конфигурация элемента | - | Single |
Продуктивность полосы частот | - | 70MHz |
Частота перехода | - | 70MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 60V |
Прямоходящий ток коллектора | - | -3A |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SB1184TLQ | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 60V 3A SOT-428 | Для сравнения |
 | 2SB1202T-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R | Для сравнения |
| 2SA1952TLQ | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 60V 5A SOT-428 | Для сравнения |
| 2SA2039-TL-H | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V | Для сравнения |