2SA1943OTU Альтернативные части: 2SC5200OTU

2SA1943OTUON Semiconductor

В наличии: 572

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
477.806374 ₽
477.75 ₽
10
450.760714 ₽
4,507.55 ₽
100
425.245948 ₽
42,524.59 ₽
500
401.175440 ₽
200,587.77 ₽
1000
378.467363 ₽
378,467.31 ₽

Цена за единицу: 477.806374 ₽

Итоговая цена: 477.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SA1943OTU	и2SC5200OTU
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube	Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя	2 Weeks	2 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA
Количество контактов	3	3
Вес	6.756g	6.756g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	250V	250V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	55	55
Рабочая температура	-50°C~150°C TJ	-50°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Опубликовано	2005	2005
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	150W	150W
Частота	30MHz	30MHz
Основной номер части	2SA1943	2SC5200
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	150W	150W
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	30MHz	30MHz
Полярность/Тип канала	PNP	NPN
Тип транзистора	PNP	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	250V	250V
Максимальный ток сбора	17A	17A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 1A 5V	80 @ 1A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	5μA ICBO	5μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	3V @ 800mA, 8A	3V @ 800mA, 8A
Частота перехода	30MHz	30MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-250V	250V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-5V	5V
Высота	26mm	-
Длина	20mm	-
Ширина	5mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SA1943RTU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 150W	Для сравнения
2SC5200OTU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube	Для сравнения
FJL4315OTU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial	Для сравнения
FJL4215OTU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans GP BJT PNP 250V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube	Для сравнения