2SA1900T100Q Альтернативные части: 2SA1576AT106R

2SA1900T100QROHM Semiconductor

  • 2SA1900T100QROHM Semiconductor
  • 2SA1576AT106RROHM Semiconductor

В наличии: 445

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.032692 ₽

    9.07 ₽

  • 10

    8.521401 ₽

    85.16 ₽

  • 100

    8.039066 ₽

    803.85 ₽

  • 500

    7.584025 ₽

    3,792.03 ₽

  • 1000

    7.154739 ₽

    7,154.67 ₽

Цена за единицу: 9.032692 ₽

Итоговая цена: 9.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 50V 1A SO-89
TRANS PNP 50V 0.15A SOT-323
Покрытие контактов
Copper, Tin
Copper, Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-243AA
SC-70, SOT-323
Количество контактов
4
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
1998
2009
Код JESD-609
e2
-
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
2W
200mW
Форма вывода
FLAT
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
-1A
-150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
2SA1900
2SA1576
Код JESD-30
R-PSSO-F3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Сокетная связка
COLLECTOR
-
Мощность - Макс
2W
200mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
150MHz
140MHz
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
400mV
500mV
Максимальный ток сбора
1A
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 500mA 3V
180 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
500mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
150MHz
140MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-50V
-60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-6V
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
10 Weeks
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Положение терминала
-
DUAL
Число контактов
-
3
Прямоходящий ток коллектора
-
-150mA
Максимальное напряжение на выходе
-
0.5 V
REACH SVHC
-
No SVHC