2SA1576AT106R Альтернативные части: UMT1NTN ,2SA1774TLQ

2SA1576AT106RROHM Semiconductor

  • 2SA1576AT106RROHM Semiconductor
  • UMT1NTNROHM Semiconductor
  • 2SA1774TLQROHM Semiconductor

В наличии: 91778

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.189560 ₽

    8.24 ₽

  • 10

    7.726003 ₽

    77.20 ₽

  • 100

    7.288681 ₽

    728.85 ₽

  • 500

    6.876113 ₽

    3,438.05 ₽

  • 1000

    6.486896 ₽

    6,486.95 ₽

Цена за единицу: 8.189560 ₽

Итоговая цена: 8.24 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 50V 0.15A SOT-323
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
TRANS PNP 50V 0.15A SOT-416
Срок поставки от производителя
10 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
Copper, Silver, Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-75, SOT-416
Количество контактов
3
6
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
2
1
Минимальная частота работы в герцах
120
120
120
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2004
2006
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
6
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
150mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
-150mA
-150mA
-150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
-
Основной номер части
2SA1576
*MT1
2SA1774
Число контактов
3
6
3
Конфигурация элемента
Single
Dual
Single
Мощность - Макс
200mW
-
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
140MHz
140MHz
140MHz
Полярность/Тип канала
PNP
-
PNP
Тип транзистора
PNP
2 PNP (Dual)
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
500mV
50V
50V
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
180 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
140MHz
140MHz
140MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-60V
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-6V
-6V
-6V
Прямоходящий ток коллектора
-150mA
-150mA
-150mA
Максимальное напряжение на выходе
0.5 V
0.5 V
0.5 V
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Код JESD-609
-
e2
-
Конечная обработка контакта
-
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
Выводной напряжение
-
50V
-
Направленность
-
PNP
-
Максимальная частота
-
140MHz
140MHz
Высота
-
900μm
700μm
Длина
-
2mm
1.6mm
Ширина
-
1.25mm
800μm