2SA1163-GR,LF Альтернативные части: 2SA1163-BL,LF ,MMBT5401Q-7-F

2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 50031

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
23.026813 ₽
23.08 ₽
10
21.723393 ₽
217.17 ₽
100
20.493764 ₽
2,049.31 ₽
500
19.333791 ₽
9,666.90 ₽
1000
18.239341 ₽
18,239.29 ₽

Цена за единицу: 23.026813 ₽

Итоговая цена: 23.08 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SA1163-GR,LF	и2SA1163-BL,LF	иMMBT5401Q-7-F
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PNP 120V 0.1A SMINI	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI	TRANS PNP 150V 0.6A SMD SOT23-3
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Диэлектрический пробой напряжение	120V	120V	150V
Рабочая температура	125°C TJ	125°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	350mW
Код соответствия REACH	unknown	unknown	-
Мощность - Макс	150mW	150mW	350mW
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	500mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 6V	350 @ 2mA 6V	60 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 1mA, 10mA	500mV @ 5mA, 50mA
Максимальное напряжение разрушения	120V	120V	-
Частота - Переход	100MHz	100MHz	300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	120V	120V	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	-
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Количество контактов	-	3	-
Безоловая кодировка	-	yes	-
Поставщик упаковки устройства	-	-	SOT-23
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	-	600mA
Серия	-	-	Automotive, AEC-Q101
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	-	150V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SC2713-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin TO-236	Для сравнения
2SC3324GRTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R	Для сравнения
2SA1163-BL,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI	Для сравнения
MMBT5401Q-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 150V 0.6A SMD SOT23-3	Для сравнения