2SA1037AKT146Q Альтернативные части: IMT1AT110 ,IMZ1AT108

2SA1037AKT146QROHM Semiconductor

В наличии: 149209

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.010989 ₽
7.01 ₽
10
6.614135 ₽
66.21 ₽
100
6.239753 ₽
624.04 ₽
500
5.886566 ₽
2,943.27 ₽
1000
5.553365 ₽
5,553.30 ₽

Цена за единицу: 7.010989 ₽

Итоговая цена: 7.01 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	и2SA1037AKT146Q	иIMT1AT110	иIMZ1AT108
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	13 Weeks
Покрытие контактов	Copper, Silver, Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457
Количество контактов	3	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	2	2
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	1996	1997
Код JESD-609	e1	-	e3/e2
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	TIN/TIN COPPER
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-50V	-
Максимальная потеря мощности	200mW	300mW	300mW
Положение терминала	DUAL	-	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	-150mA	-150mA	150mA
Частота	140MHz	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	2SA1037	*MT1	*MZ1
Число контактов	3	6	6
Конфигурация элемента	Single	Dual	Dual
Распад мощности	200mW	300mW	300mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	140MHz	140MHz	180MHz
Полярность/Тип канала	PNP	-	-
Тип транзистора	PNP	2 PNP (Dual)	NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	50V
Максимальный ток сбора	150mA	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA	500mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода	140MHz	140MHz	180MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	-60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-6V	-6V	-6V
Прямоходящий ток коллектора	-150mA	-	-150mA
Максимальное напряжение на выходе	0.5 V	0.5 V	0.4 V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Направленность	-	PNP	NPN, PNP
Максимальная частота	-	100MHz	100MHz
Высота	-	1.1mm	1mm
Длина	-	2.9mm	2.9mm
Ширина	-	1.6mm	1.6mm
Максимальный выходной ток	-	-	150mA
Входной напряжение питания	-	-	50V
Частота - Переход	-	-	180MHz 140MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IMT1AT110	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT	Для сравнения
IMZ1AT108	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT	Для сравнения
DME505010R	Panasonic Electronic Components	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-SMD, Flat Leads	Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm	Для сравнения
FMY1AT148	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74A, SOT-753	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT	Для сравнения