2A8 Альтернативные части: 2SC4213BTE85LF

2A8Microsemi Corporation

  • 2A8Microsemi Corporation
  • 2SC4213BTE85LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
и2A82A8
Производитель:
Описание:
RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU
TRANS NPN 20V 0.3A USM
Состояние жизненного цикла
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
-
Монтаж
Chassis Mount, Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Chassis Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
55EU
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
21V
20V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
300mA
-
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
150°C TJ
125°C TJ
Пакетирование
Bulk
Cut Tape (CT)
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
5.3W
100mW
Частота
2GHz
30MHz
Тип генератора
CMOS
-
Распад мощности
5.3W
100mW
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
21V
20V
Максимальный ток сбора
300mA
300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
20 @ 100mA 5V
350 @ 4mA 2V
Увеличение
7dB ~ 9dB
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3.5V
25V
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Срок поставки от производителя
-
16 Weeks
Покрытие контактов
-
Silver, Tin
Минимальная частота работы в герцах
-
200
Опубликовано
-
2009
Код ECCN
-
EAR99
Код соответствия REACH
-
unknown
Конфигурация элемента
-
Single
Продуктивность полосы частот
-
30MHz
Полярность/Тип канала
-
NPN
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
100mV @ 3mA, 30A
Максимальное напряжение разрушения
-
20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V