Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
15GN03MA-TL-E Альтернативные части: 55GN01FA-TL-H
15GN03MA-TL-EON Semiconductor
В наличии: 3509
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
49.891429 ₽
49.86 ₽
10
47.067376 ₽
470.74 ₽
100
44.403173 ₽
4,440.38 ₽
500
41.889808 ₽
20,944.92 ₽
1000
39.518709 ₽
39,518.68 ₽
Цена за единицу: 49.891429 ₽
Итоговая цена: 49.86 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | RF Transistor, NPN Single, 10 V, 70 mA, fT = 1.5 GHz | Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin SSFP T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 7 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-81 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 10V | 10V |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2012 |
Код JESD-609 | e6 | e6 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Максимальная потеря мощности | 400mW | 250mW |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация | Single | Single |
Мощность - Макс | 400mW | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 10V | 10V |
Максимальный ток сбора | 70mA | 70mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 10mA 5V | 100 @ 10mA 5V |
Увеличение | 13dB @ 0.4GHz | 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz |
Частота перехода | 1000MHz | 3000MHz |
Частота - Переход | 1.5GHz | 4.5GHz~5.5GHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 20V | 20V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3V | 3V |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 1.6dB @ 0.4GHz | 1.9dB @ 1GHz |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Количество элементов | - | 1 |
Частота | - | 5.5GHz |
Распад мощности | - | 250mW |
Без галогенов | - | Halogen Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SC5490A-TL-H | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-81 | TRANS NPN BIPO 30MA 10V SSFP | Для сравнения |
| 2SC5536A-TL-H | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-81 | TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP | Для сравнения |
| 55GN01FA-TL-H | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | SC-81 | Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin SSFP T/R | Для сравнения |
 | 2SC4083T106N | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN 11V 0.05A SOT-323 | Для сравнения |